提供通孔布置的系统及方法
2019-11-26

提供通孔布置的系统及方法

一种半导体芯片(402)包括电触点(412、413)阵列及多个通孔(416、417),所述多个通孔将所述半导体芯片中的至少一个电路耦合到所述电触点阵列。所述电触点阵列中的所述电触点中的第一者(412)耦合到N个通孔(416),且所述电触点阵列中的所述电触点中的第二者(413)耦合到M个通孔(417a、417b)。M及N为具有不同值的正整数。

图4为根据一个实施例改编的示范性系统的说明。

本文中所描述的方法可依据应用而通过各种组件加以实施。举例来说,这些方法可以硬件、固件、软件或其任何组合加以实施。对于硬件实施方案,处理单元可实施于一个或一个以上专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理装置(DSro)、可编程逻辑装置(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、处理器、控制器、微控制器、微处理器、电子装置、经设计以执行本文中所描述的功能的其它电子单元或其组合内。

背景技术

图2为用于图1的存储器芯片的常规示范性布局的说明。

芯片101与102经展示为使用球状栅格阵列103、106而彼此电耦合。具体地说,存储器芯片101包括球状栅格阵列103(从侧面展示),且逻辑芯片102包括球状栅格阵列106(也从侧面展示)。相应的球状栅格阵列103及106彼此对准,且彼此之间进行接触以使得芯片101与102连通。

芯片101与102经展示为使用球状栅格阵列103、106而彼此电耦合。具体地说,存储器芯片101包括球状栅格阵列103(从侧面展示),且逻辑芯片102包括球状栅格阵列106(也从侧面展示)。相应的球状栅格阵列103及106彼此对准,且彼此之间进行接触以使得芯片101与102连通。

背景技术

将注意力转向TSV416、417,注意到触点412与单一TSV连通,而触点413与两个TSV连通。各种实施例针对一些触点使用不同数目的TSV以改进性能。举例来说,在此实例中,触点412为信号触点,且TSV416将数据信号从金属层418中的电路输送到触点412。此外,在此实例中,触点413为通过TSV417a及417b接收电力的电力触点。一般来说,随着在单一触点处的TSV的数目增加,电阻减少,同时电容增加。另一方面,一般来说,随着在单一触点处的TSV的数目减少,电阻增加,同时电容减少。触点412与单一TSV连通以减小触点412与金属层418中的电路之间的电容的量。另一方面,触点413与两个TSV连通以减小电源(未图示)与触点413之间的电阻量,且可耐受某种量的电容,尤其是考虑到电阻减少的益处。